•溝槽式蕭特基的結構設計，可降低蕭特基二極體的表面電場並減少蕭基位障降低效應，因此溝槽結構可使用低功函數的蕭基金屬，降低導通電壓而不用忍受高的反向漏電流。
•溝槽結構可以減少注入到漂移區的少數載子，從而將所儲的電荷數量降至最低，同時提升切換速度。低電流啟動相較蕭特基二極體表現更優異，能提供更好的能源效率轉換。
•IO=1A~40A ; VR=30V~200V
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•採用VDMOS(垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的結構原理,讓VDMOS的閘極(G)和源極(S)並列為陽極，汲極(D)作為陰極。
1.無肖特基接觸,具有比蕭特基二極體更低的VF。
2.更快的反應時間,比一般二極體具有更快的開關速度。
3.具有更高的可靠性，可以在更高的溫度下工作。
4.具有比蕭特基二極體更高的耐壓。
•IO=3A~40A ; VR=40V~300V
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•IO=0.015A~3.0A ; VR=20V~200V
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•開關二極管是具有開關功能的二極管，當電壓正向施加時允許電流流動（ON），當電壓反向施加時停止電流流動（OFF）。 反向恢復時間（trr）短，適用於切換高達 100 mA 的小信號。
•IO=0.1A~0.3A ; VR=20V~200V
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