肖特基二極管的溝槽結構設計可以降低肖特基二極管的表面電場和肖特基勢壘。 因此，溝槽結構可以使用低功函數的肖特基金屬來降低導通電壓，而無需承受高反向漏電流。 溝槽結構可以減少注入漂移區的少數載流子，從而最大限度地減少存儲電荷量並提高開關速度。 與肖特基二極管相比，溝槽式肖特基二極管的小電流啟動性能更好，能提供更好的能效轉換，滿足六級能效要求。
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1. 無肖特基接觸，VF低於肖特基二極管。
2. 反應時間更快，開關速度比普通二極管快。
3.可靠性高，可在較高溫度下工作。
4. 比肖特基二極管更高的反向電壓。

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LED二極管的反向抗ESD能力遠弱於正向，齊納二極管能提供一個 ESD 旁路通道來保護LED二極管，避免LED二極管因為靜電導致失效。

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